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TOITAの「航空無線通信士受験クラブ」第16期工学第2章半導体・電子管・電子回路 (5)電流増幅率その2 |
2015年3月30日 9時30分の記事 |
第2章半導体・電子管・電子回路 (5)トランジスターの電流増幅率その2 今回は、 トランジスターの電流増幅率の2回目としてトランジ スターの回路として一番良く使用されるエミッター接地回路の 電流増幅率のお話をいたします。 前回、お話を致しましたベ ース接地回路の電流増幅率が基礎になりますので、読み返 しておいて下さい。 ※平成26年4月1日以降の試験からトランジスターの記号から丸が無くなりま す。 図-4をご覧ください。 電池Ebeで Ib が流れます。結果とし て Ic が流れます。 Ebeに直列に微小な信号源 Vi が繋がれています。 Vi の変化により Ib が ΔIb だけ変化します。 結果とし て Ic が ΔIcだけ変化します。 Ie は、 Ib + Ic ですので、Ie も ΔIe だけ変化します。 それでは、 エミッター接地の電流増幅率についてお話をし ます。 エミッター接地では、 Ib が入力でIc が出力となりま すので エミッター接地の電流増幅率: β は、 β = ΔIc/ΔIb (2) となります。 次に、 前回の(1)式のαと(2)式のβの関係を調べてみま す。 続きは、記事をお買い求めの上、お読みください。 [お知らせ]有料記事をお読み頂く為には、コンビニで電子 マネーをお買い求めの上、下記のURLをクリックしてポイ ントを取得する手続きをお済ませください。 ポイントは、「くる天」様の有料ならではの他のブログをお 読みになる為にもお使い頂けます。 http://kuruten.jp/blog/help041.html |
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[カテゴリ:無線工学] |
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