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TOITAの「航空無線通信士受験クラブ」第16期工学第2章半導体・電子管・電子回路 (5)電流増幅率その2
2015年3月30日 9時30分の記事
 
      第2章半導体・電子管・電子回路
    (5)トランジスターの電流増幅率その2

今回は、 トランジスターの電流増幅率の2回目としてトランジ
スターの回路として一番良く使用されるエミッター接地回路の
電流増幅率のお話をいたします。 前回、お話を致しましたベ
ース接地回路の電流増幅率が基礎になりますので、読み返
しておいて下さい。

  
 ※平成26年4月1日以降の試験からトランジスターの記号から丸が無くなりま
  す。
          
 図-4をご覧ください。 電池Ebeで Ib が流れます。結果とし
 て Ic が流れます。
 Ebeに直列に微小な信号源 Vi が繋がれています。
 Vi の変化により Ib が ΔIb だけ変化します。 結果とし
  て Ic が ΔIcだけ変化します。
 Ie は、 Ib + Ic ですので、Ie も ΔIe だけ変化します。
 それでは、 エミッター接地の電流増幅率についてお話をし
 ます。 エミッター接地では、 Ib が入力でIc が出力となりま
 すので エミッター接地の電流増幅率: β は、

     β = ΔIc/ΔIb                  (2)

 となります。
 次に、 前回の(1)式のαと(2)式のβの関係を調べてみま
   す。

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[カテゴリ:無線工学]
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