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TOITAの「航空無線通信士受験クラブ」第20期工学第3章半導体・電子管・電子回路 (5)トランジスターの電流増幅率その2
2017年4月17日 9時30分の記事
 
      第3章半導体・電子管・電子回路
    (5)トランジスターの電流増幅率その2

今回は、 トランジスターの電流増幅率の 2回目として
トランジスターの回路として一番良く使用されるエミッ
ター接地回路の電流増幅率のお話をいたします。前回、
お話を致しました ベース接地回路の電流増幅率が 基礎
になりますので、読み返しておいて下さい。

  
 ※平成26年4月1日以降の試験からトランジスターの記号から丸が無
  くなりま
した。
          
 図-4をご覧ください。電池Ebeで Ib が流れ、結果と
   てIcが流れます。
 Ebeに直列に微小な信号源 Vi が繋がれています。
 Vi の変化により Ib が ΔIb だけ変化します。  結果
   として Ic が ΔIcだけ変化します。
 Ie は、 Ib + Ic ですので、Ie も ΔIe だけ変化しま
   す。
 それでは  エミッター接地の電流増幅率についてお話
   をします。エミッター接地では、Ibが入力でIc が 出
   力となりますので エミッター接地の電流増幅率: β 
   は、

     β = ΔIc/ΔIb                (2)

 となります。
 次に  前回の(1)式のαと(2)式のβの関係を調べてみ
   ます。

     β = ΔIc/ΔIb = ΔIc/(ΔIe − ΔIc)

 分子と分母を?Ie で割ります。


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