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TOITAの「航空無線通信士受験クラブ」第21期受験直前講座 (15)FETその2の解答その1 |
2018年1月14日 9時30分の記事 |
第21期受験直前講座 (15)FETその2の解答の1 今回は、前回出題いたしました演習問題の解答とその 解説を行いますが、解説が長くなりますので、2回に分 けてお話をする事と致しました。 [演習問題22] 次の記述は、 図に示す電界効果トランジスタ(FET) に ついて述べたものです。 ( ) 内に入れるべき字句の 正しい組合せを下の番号から選んで下さい。 (1) 構造による分類は、( A ) FET である。 (2) チャンネルによる分類は、( B ) FET である。 (3) 動作特性による分類は、( C ) FET である。 G:ゲート D:ドレイン S:ソース A B C 1 MOS形 Pチャンネル形 エンハンスメント形 2 MOS形 Nチャンネル形 デプレッション形 3 MOS形 Pチャンネル形 デプレッション形 4 接合形 Nチャンネル形 デプレッション形 5 接合形 Pチャンネル形 エンハンスメント形 [演習問題22の解答と解説] (1)構造による分類 電界効果トランジスターには、大きく分けて構造の 違いにより2種類あります。 次の図は、接合形電界効果トランジスタ―でp 形半 導体と n 形半導体を くっつけてありますので 接合 形です。 s...ソース。D...ドレイン。G...ゲート そして次の図は、MOS 形電界効果トランジスター です。 図では、nチャンネルのMOS形電界効果トランジス ター(以下 MOS と言います。)を示しています。 p形半導体の上に2か所、シリコンより原子価が1 つ多い物質を高濃度で入れています。 この部分は、n形半導体になります。 高濃度で入れていますのでN+と表記してあります。 p形半導体と今作りました n 形半導体の上の部分を 酸化させて酸化被膜とします。 図では、黒の部分です。 酸化被膜は、電気を通さない絶縁体になります。 n形半導体の上の部分の 酸化被膜に穴をあけ、アル ミを蒸着します。このアルミが電極となります。 この部分がソースとドレインになります。 そして、ドレインとソースの中間あたりの酸化被膜 の上にアルミを蒸着しますと、そこがゲートになり ます。 MOS とは、Metal Oxide Semiconductor の事で す。 Metal は、アルミで作った電極の事です。 Oxide は、酸化被膜の事です。 そして Semiconductor は、 n形半導体と p形半導 体の事です。 ゲートの部分を見ますと上からアルミ(Metal)、酸 化被膜(Oxide) 、そしてp 形半導体 (Semiconduc- tor) となりますので M-O-S と覚えられると良いで しょう。 せっかくですから、MOS に ドレイン電流:Id が流 れる仕組みと Idを制御する仕組みをお話いたします 。 上の図では ドレインに電池の”+”。ソースに”−” が 繋がれています。 続きは、記事をお買い求めの上お読みください。 当塾は、昨年の10月でまる10年になりました。 ここまで続けてこられましたのは、皆様方のお陰と感謝して います。 今後も、低価格で分かりやすい合格の為の講座を続けてま いる所存ですので、宜しくお願いいたします。 「時は、金なり」と言いますが、50円を有効に使えていますか ?。 この資格は、皆様にとって取れれば、リターンの資格です。 試験迄の時間を無駄にしない様にして下さい。 [お知らせ]有料記事をお読み頂く為には、コンビニで 電子 マネーをお買い求めの上、 下記の URLをクリックしてポイ ントを取得する手続きをお済ませください。 ポイントは、「くる天」様の有料ならではの 他のブログをお 読みになる為にもお使い頂けます。 なお、電子マネー「C-Check」は、2000円 から購入出来ま す。 http://kuruten.jp/blog/help041.html |
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[カテゴリ:無線工学] |
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