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TOITAの「航空無線通信士受験クラブ」第25期無線工学第3章半導体・電子管・電子回路 (6)FETの特徴他
2019年10月10日 9時30分の記事
 
      第3章半導体・電子管・電子回路
     (6)FETの特徴と半導体の温度特性 

今回は  前回お話を致しました電界効果トランジスター
(FETトランジスター)の特徴と半導体の温度特性のお話
しを致します。


1.FETの特徴
 (a)トランジスターの場合、ベースとエミッター間が入
     力となりますので、Ib が流れる事から  入力インピ
     ーダンス
のですが、接合型FET では、入力と
     なるゲートとソース間が逆バイアスですので ゲート
     電流が殆ど流れない為、入力インピーダンスが 高い 
     事になります。
   特にMOS型FETは、ソースとドレイン間のチャンネ
     ルの上に 酸化シリコンの絶縁物が有る為、ゲートと
     チャンネルの間には 電流が流れませんので入力イン
   ピーダンスが極めて高い
事になります。

(b)周波数特性が良い
   増幅回路は、周波数が0[Hz] (直流) 〜高周波までど  
     んな周波数でも増幅出来る訳では なくそれぞれある
     範囲の周波数の信号しか増幅出来ません。
   それぞれの周波数どの位の増幅度が有るのかを グラ
   フにしたもの周波数特性と言います。
   皆様がライブで聞こえた音がミュージック・プレー
     ヤーで聞くとシンバルの音が聞こえないとか体を揺
     する様なベースの音が聞こえないと言う経験はあり
     ませんか?これはボーカルの声の周波数の増幅率に
     比べてシンバルの様な極高い周波数やベースの様な
   極低い周波数の増幅率が低い為です。 ( 勿論、スピ
     カーの様に電気信号を音に変える装置が全ての周波
     数の電気信号を 音に換えられない 事もあります。)

   下の図は ”負帰還増幅”の説明の為に描いた図ですが
     周波数毎の増幅を表しています。
   

   FET少数キャリア蓄積効果 が無いため 動作が速
     くなり
ますので周波数特性性が良くなります。  
     [少数キャリア蓄積効果とは]
     次の図をご覧下さい。

  

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[カテゴリ:無線工学]
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